Агрономія

Визначено одну з причин пригнічення посівів соняшнику за мінімального обробітку ґрунту

Посіви соняшнику за нульового обробітку ґрунту можуть пригнічуватися через накопичення рухомих форм простих фенолів із малою кількістю оксигруп. Саме вони є основою ґрунтовтоми.

Про такі результати досліджень розповіла Яна Погромська, науковий співробітник Інституту ґрунтознавства та агрохімії імені О. Н. Соколовського» НААН, пише журнал The Ukrainian Farmer.

За її словами, минулого року умови вегетації просапних соняшнику відрізнялися оптимальними термічними параметрами, що визначило добрі умови для збирання культур пізніх посівів. Однак, незважаючи на це, було отримано пригнічення соняшнику на початкових стадіях вегетації рослин. Прояви підсилювалися зі збільшенням ступеня мінімізації обробітку ґрунту, що вплинуло на врожайність культури: за полицевого обробітку урожайність становила 16,30 ц/га; безполицевого — 12,68; нульового — 9,87 ц/га; НІР05 — 1,80 ц/га.

Як пояснила науковець, рослинні рештки ячменю й бур’янистих рослин, що в підвищеній кількості є за обробітків без обертання скиби, а особливо за прямої сівби (нульовий обробіток ґрунту), створюють умови для розвитку фітопатогенних грибів. Це відбувається на тлі пригнічення нормальної ґрунтової мікрофлори «законсервованими колінами» попередника, що й впливає на розвиток рослин соняшника.

У результаті аналізу було встановлено, що основою ґрунтовтоми (це спричинило пригнічення розвитку рослин) стало накопичення рухомих форм простих фенолів із малою кількістю оксигруп.

Так, за полицевого обробітку уміст простих водорозчинних фенолів у шарі 0–10 см ґрунту становив 7,28 мг/кг ґрунту; за безполицевого вміст фенолів становив 9,25 мг/кг. На тлі нульового обробітку кількість водорозчинних фенолів у 0–10 см шарі збільшилася до 10,79 мг/кг ґрунту, а за НІР05 показник становив 1,31 мг/кг ґрунту.

Додати коментар

Такий e-mail вже зареєстровано. Скористуйтеся формою входу або введіть інший.

Ви вказали некоректні логін або пароль

Sorry that something went wrong, repeat again!